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NSS40300DDR2G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：8-SOIC N
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：1.929
  • 類型：晶體管（BJT） - 陣列
  • PDF：NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2G

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    2 PNP（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    3A

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    40V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）

    170mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）

    -

  • 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    180 @ 1A，2V

  • 功率 - 最大值

    653mW

  • 頻率 - 躍遷

    100MHz

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明

    TRANS DUAL PNP 40V 3A 8SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注

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