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NSBC114EPDP6T5G

  • 廠家:ON Semiconductor
  • 封裝:SOT-963
  • 批號:--
  • 數量:電詢
  • 價格:0.354
  • 類型:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
  • PDF:NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G

  • 包裝

    帶卷 (TR)

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值)

    100mA

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    50V

  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    10k

  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)

    10k

  • 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值)

    35 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)

    250mV @ 300μA, 10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值)

    500nA

  • 頻率 - 躍遷

    -

  • 功率 - 最大值

    339mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    SOT-963

  • 產品簡介說明

    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT963

  • 產品描述備注

特價專區(qū)