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IXFN66N50Q2

  • 廠家:IXYS
  • 封裝:SOT-227B
  • 批號:--
  • 數(shù)量:電詢
  • 價格:詢價
  • 類型:FET - 模塊
  • PDF:IXFN66N50Q2

IXFN66N50Q2

  • 包裝

    管件

  • 系列

    HiPerFET??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道,金屬氧化物

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    500V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時)

    66A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值)

    80 毫歐 @ 500mA,10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 8mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    199nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    6800pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    735W

  • 安裝類型

    底座安裝

  • 封裝/外殼

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

  • 產(chǎn)品描述備注

特價專區(qū)