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EC3A03B-TL-H

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：3-ECSP1006
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：JFET（結點場效應）
  • PDF：EC3A03B-TL-H

EC3A03B-TL-H

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    N 溝道

  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)

    -

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    40V

  • 不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)

    50μA @ 20V

  • 漏極電流 (Id) - 最大值

    1mA

  • 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）

    1.5V @ 1μA

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    1.7pF @ 10V

  • 電阻 - RDS（開）

    -

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    3-XFDFN

  • 功率 - 最大值

    100mW

  • 產(chǎn)品簡介說明

    JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3

  • 產(chǎn)品描述備注

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