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BSM180D12P2C101

  • 廠家：Rohm Semiconductor
  • 封裝：模塊
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：4715.830
  • 類型：FET - 模塊
  • PDF：BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101

  • 包裝

    散裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    2 個(gè) N 通道（半橋）

  • FET 功能

    碳化硅 （SiC）

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    1200V（1.2kV）

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    180A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    -

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 35.2mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    23000pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    1130W

  • 安裝類型

    *

  • 封裝/外殼

    模塊

  • 產(chǎn)品簡介說明

    POWER MODULE 1200V 180A

  • 產(chǎn)品描述備注

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