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APTM100DA18T1G

  • 廠家：Microsemi Power Products Group
  • 封裝：SP1
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 模塊
  • PDF：APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G

  • 包裝

    散裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    1000V（1kV）

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    40A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    216 毫歐 @ 33A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 2.5mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    570nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    14800pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    657W

  • 安裝類型

    底座安裝

  • 封裝/外殼

    SP1

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

  • 產(chǎn)品描述備注

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