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2DB1132R-13

  • 廠家：Diodes Incorporated
  • 封裝：SOT-89-3
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：0.924
  • 類型：晶體管（BJT） - 單路
  • PDF：2DB1132R-13

2DB1132R-13

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    PNP

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    1A

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    32V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）

    500mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）

    -

  • 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    180 @ 100mA，3V

  • 功率 - 最大值

    1W

  • 頻率 - 躍遷

    190MHz

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-243AA

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3

  • 產(chǎn)品描述備注

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