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RN1910FE(T5L,F,T)

  • 廠家:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝:ES6
  • 批號(hào):--
  • 數(shù)量:4,000 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格:詢價(jià)
  • 類型:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • PDF:RN1910FE(T5L,F,T)
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RN1910FE(T5L,F,T)

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值)

    100mA

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    50V

  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    4.7k

  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)

    -

  • 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值)

    120 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值)

    300mV @ 250μA, 5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值)

    100nA(ICBO)

  • 頻率 - 躍遷

    250MHz

  • 功率 - 最大值

    100mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 產(chǎn)品簡介說明

    TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A

  • 產(chǎn)品描述備注

購買須知 尊敬的客戶:您好!
1:由于產(chǎn)品型號(hào)種類繁多,價(jià)格與庫存時(shí)有更新,請顧客一定要與我們溝通咨詢后才可下單。
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