BFR30LT1G

包裝
帶卷（TR）
系列
-
FET 類型
N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
-
漏源極電壓 (Vdss)
25V
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss)
4mA @ 10V
漏極電流 (Id) - 最大值
-
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）
5V @ 0.5nA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
5pF @ 10V
電阻 - RDS（開(kāi)）
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
功率 - 最大值
225mW
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明
JFET N-CH 225MW SOT23
產(chǎn)品描述備注

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