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APTM100H80FT1G

  • 廠家：Microsemi Power Products Group
  • 封裝：SP1
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 模塊
  • PDF：APTM100H80FT1G
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APTM100H80FT1G

  • 包裝

    散裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    4 個 N 通道（H 橋）

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    1000V（1kV）

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    11A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    960 毫歐 @ 9A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    150nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    3876pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    208W

  • 安裝類型

    底座安裝

  • 封裝/外殼

    SP1

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1

  • 產(chǎn)品描述備注

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