FQD12N20TM

包裝
帶卷（TR）可替代的包裝
系列
QFET?
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）
9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）
280 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)
23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)
910pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
產(chǎn)品簡介說明
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
產(chǎn)品描述備注

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